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BSC084P03NS3E G /MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
BSC084P03NS3E G的规格信息
BSC084P03NS3E G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:78.6 A

Rds On-漏源导通电阻:8.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:43.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS P3

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:8.1 nS

产品类型:MOSFET

上升时间:133.5 nS

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33.3 nS

零件号别名:BSC084P03NS3EGATMA1 BSC84P3NS3EGXT SP000473012

供应商BSC084P03NS3E G
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BSC084P03NS3E GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品5000+:¥3.46
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BSC084P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P31:¥8.2942
10:¥7.0964
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1,000:¥3.8081
5,000:¥3.8081
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BSC084P03NS3E GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品5000+:¥3.461+:¥7.19
10+:¥5.74
100+:¥4.45
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5000+:¥3.53
10000+:¥3.44
25000+:¥3.3301
50000+:¥3.25
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BSC084P03NS3E GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.9A,78.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 110uA 漏源导通电阻:8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥6.24
200+:¥2.42
500+:¥2.33
1000+:¥2.29